MRAM是當今進入商業(yè)生產(chǎn)的眾多非易失性存儲器技術(shù)之一。早期版本，稱為切換 MRAM，已經(jīng)存在了一段時間，最新的商用選項是自旋轉(zhuǎn)移扭矩，或STT-MRAM。
 
現(xiàn)代MRAM器件采用所謂的磁隧道結(jié) (MTJ)。它可以簡化為具有三層——固定或“釘扎”磁性層、隧道電介質(zhì)和自由磁性層。
 
在對設(shè)備進行編程時，將自由層的磁場設(shè)置為與固定層的磁場平行或反平行。這個想法是，固定層有效地過濾了通過它的電流的自旋方向。當該電流撞擊另一個磁性層時，如果它的方向相同，則可以通過更多電流。如果方向相反，則通過的電流更少
     
在 STT-MRAM MTJ 中通過運行大電流通過 MTJ 對單元進行編程。方向決定了自由層的編程方式。更新的程序“更難”，從而實現(xiàn)更快的訪問時間。但它也會對細胞造成損害，從而導(dǎo)致磨損。如果需要更高的耐用性，則寫入電流必須更低，從而減慢該過程。
 
目前的缺點是它的寫入速度比讀取速度慢 10 倍。因為性能慢，要替換 SRAM 會很困難。
   
圖 2：使用大于流經(jīng) MTJ 的讀取電流的寫入電流對 STT-MRAM 單元進行編程，這會對單元造成長期損壞。


關(guān)鍵詞： MRAM,STT-MRAM

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