新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應(yīng)用都為MRAM存儲器研究開發(fā)奠定了基礎(chǔ)。
 
1995年美國國防部高級研究計劃署)為IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業(yè)提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發(fā),其技術(shù)指標(biāo)及產(chǎn)品目標(biāo)要求如下:
 
技術(shù)指標(biāo):
具有sram芯片的隨機存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存儲密度;
具有EEPROM芯片存入數(shù)據(jù)的非易失性。
 
產(chǎn)品目標(biāo):
取代計算機的DRAM內(nèi)存，
取代手機的EEPROM閃存。
 
表1列出MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較。

   
由上述表中的四種內(nèi)存只有MRAM能同時滿足計算機內(nèi)存的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數(shù)據(jù)存儲密度高以及耗電功率低等。因此美、日、歐等發(fā)達國家都很重視這項新技術(shù),投巨資加速MRAM產(chǎn)品的商業(yè)化。
 
 
Everspin MRAM型號表

型號	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	570	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

 
 

關(guān)鍵詞：MRAM