SRAM存儲(chǔ)器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則就會(huì)出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會(huì)消失，因此SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能。SRAM雖然只是存儲(chǔ)器，但是使用的方法不一樣，芯片的面積是不一樣的。基于SRAM有兩個(gè)事實(shí)：
 
（1）1R1W的SRAM面積要比1RW的SRAM的面積大不少。
 
同樣規(guī)格的SRAM，增加一組讀寫接口，其面積會(huì)增加很多。但是有一種辦法其實(shí)有可能將本來需要使用1R1W的SRAM改用1RW SRAM替掉，從而節(jié)省不少面積。比如本來需要使用64bit x 2K的1R1W SRAM存儲(chǔ)器，讀寫接口都是64bit，有可能可以采用128 x 1K的1RW SRAM（讀寫共用一個(gè)接口），每次讀寫直接對(duì)128bit進(jìn)行操作，這樣讀和寫就可以每2T操作一次，有可能可以pipe起來，比如：讀128bit->寫128bit->讀128bit->寫128bit.......當(dāng)然，這種替換方法要求SRAM使用的時(shí)候都是順序讀寫，而非隨機(jī)讀寫。
 
（2）同樣容量的SRAM，其寬度和深度的比值不一樣，其面積是不一樣的。
 
比如16KB的SRAM，可能是64bit x 2K，或者是128bit x K，這兩種規(guī)格面積是不一樣的，使用64bit x 4K會(huì)更加節(jié)省面積，帶來的芯片面積就越小就可以降低成本。如果說我的接口就需要是128bit呢？那么使用64bit x 4K的sram芯片，然后倍頻讀寫就可以節(jié)省不少面積。
 

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