研究公司ForwardInsights的創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong認(rèn)為Crossbar的RRAM是一種可行的產(chǎn)品，未來(lái)一定會(huì)挑戰(zhàn)NAND。他說(shuō)：“當(dāng)我提到NAND，就說(shuō)明是3D NAND。”

 

賽道存儲(chǔ)器至少還需要五年才會(huì)可行。Wong說(shuō)：“現(xiàn)在，它看起來(lái)像一個(gè)有趣的概念。未來(lái)它最終能否變得商業(yè)化還不能肯定。相變的問(wèn)題在于：在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中它能夠適應(yīng)哪里？現(xiàn)在它的定位是一個(gè)NOR的替代品。其性能和耐久性像是NOR，而不是NAND。”

 

正常情況下，當(dāng)你看到別人吹捧RRAM時(shí)，會(huì)心存許多懷疑；但當(dāng)你看到Crossbar和它的技術(shù)時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)很有趣。Handy也相信硅制作的存儲(chǔ)器，如Crossbar的RRAM，將繼續(xù)占據(jù)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，因?yàn)榫A廠已經(jīng)做好充分的準(zhǔn)備去使用它了，而且硅還是一種廉價(jià)的材料。

 

Handy說(shuō)：“硅會(huì)盡可能的維持其對(duì)新材料的優(yōu)勢(shì)，直到3D NAND開(kāi)始衰退，像Crossbar的技術(shù)才會(huì)發(fā)揮作用，目前看來(lái)，在2D技術(shù)停止發(fā)展后3D NAN技術(shù)才會(huì)發(fā)揮真正作用，距現(xiàn)在還有二到三代工藝的時(shí)間。”

 

NAND閃存工藝技術(shù)每12個(gè)月左右不斷發(fā)展。例如，英特爾即將從19nm節(jié)點(diǎn)移至14nm。這意味著它可能在兩到三年之內(nèi)失去動(dòng)力。

 

不是每個(gè)人都認(rèn)為3D NAND會(huì)這么快沒(méi)落。

 

應(yīng)用材料技術(shù)人員的高級(jí)主管和主要成員Gill Lee認(rèn)為3D NAND也許會(huì)增長(zhǎng)至100層以上的深度。應(yīng)用材料提供了制作NAND閃存和RRAM的半導(dǎo)體工業(yè)機(jī)器。他說(shuō)：“3D會(huì)使NAND工藝?yán)^續(xù)升級(jí)制程。我認(rèn)為它能夠發(fā)展得很遠(yuǎn)。”

 

Lee說(shuō)，他已經(jīng)看到了加工廠把3DNAND發(fā)展到128層的路線圖。第一代3D NAND，24層深，接下來(lái)的就是亞20nm節(jié)點(diǎn)2DNAND，但因?yàn)樗芗?D NAND將存儲(chǔ)器制造的每比特成本降低30%左右。消費(fèi)者是否會(huì)看到更大密度的NAND閃存，或者加工廠僅僅繼續(xù)以更低成本創(chuàng)造相同的存儲(chǔ)容量，這取決于該行業(yè)。


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