FRAM(鐵電RAM)是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。我們量產(chǎn)的FRAM產(chǎn)品已交付給工業(yè)市場超過21年。因此，F(xiàn)RAM是具有成熟制造經(jīng)驗的高性能和高度可靠的存儲器。下面代理商宇芯電子介紹富士通FRAM存儲芯片512K×8位SPI MB85RS4MTY。
 
MB85RS4MTY描述
MB85RS4MTY是一款524,288字×8位配置的FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。本產(chǎn)品針對高溫環(huán)境應用。MB85RS4MTY采用串行外設接口（SPI）。
 
MB85RS4MTY無需使用后備電池即可保存數(shù)據(jù)，這是SRAM所需要的。MB85RS4MTY中使用的存儲單元可用于10¹³次讀/寫操作，這是對讀寫次數(shù)的重大改進Flash存儲器和E²PROM支持的操作。
 
由于MB85RS4MTY在寫入過程中不需要任何等待時間，因此MB85RS4MTY的寫入周期比Flash或E²PROM短很多。
 
MB85RS4MTY特點
•位配置：524,288字×8位
•串行扇區(qū)區(qū)域：256字×8位
在該區(qū)域中，保證了基于JEDECMSL-3標準條件（通過）3次回流后的數(shù)據(jù)存儲。
•唯一身份
•序列號：64位
在該區(qū)域中，保證了基于JEDECMSL-3標準條件（通過）3次回流后的數(shù)據(jù)存儲。
•串行外設接口：SPI（串行外設接口）對應于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作頻率：50MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)
2.75年(+105℃)
0.85年(+125℃)或更長
在評估超過2.5年（+125℃）
•工作電源電壓：1.8V至3.6V
•低功耗：工作電源電流4mA(Max@50MHz)
待機電流350μA（最大）
深度掉電電流30μA（最大）
休眠電流14μA（最大）
•工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至+125℃
•封裝：8-pin塑料SOP208mil、8針塑料DFN 5mm×6mm符合RoHS
 
多年來，F(xiàn)UJITSU一直以來傾注于提供高質(zhì)量和高性能的存儲器，這對于那些增強型的數(shù)字應用而言必不可少。近年來，除了提供更高密度，更高性能和更低功耗的存儲產(chǎn)品外，為客戶的應用提供了最佳的解決方案。
 

關鍵詞：富士通FRAM  MB85RS4MTY 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。