集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。
 
鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關(guān)鍵是用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器，統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)使用戶在成本和靈活性上獲益。
 
這種集成鐵電存儲器的MCU是TI特別為物聯(lián)網(wǎng),特別是傳感器網(wǎng)應(yīng)用而研發(fā)。傳感器網(wǎng)部署多在室外或野外，電源條件差,因此功耗要求苛刻,最好能一塊電池支持設(shè)備整個生命周期,或能從外界采集能量。此外實時采集到的更多數(shù)據(jù)要求內(nèi)存擦寫次數(shù)更多，對flash的壽命是個挑戰(zhàn)。而鐵電讀寫速度比閃存提升100倍,而功耗節(jié)省250倍。
 
舉個應(yīng)用實例:國外超市為節(jié)省人工成本，商品普遍采用電子標(biāo)簽,通過一個傳感器網(wǎng)絡(luò)自動更新價格等信息,這種應(yīng)用如采用集成鐵電存儲器的MCU方案,就能大大節(jié)省功耗并延長設(shè)備壽命。統(tǒng)一的存儲器也簡化了供應(yīng)鏈管理,降低采購成本。該新產(chǎn)品首個系列有4/8/16kB三個版本，采用的是16位RISCMCU架構(gòu),未來還會推出基于ARM架構(gòu)的產(chǎn)品系列。與此同時,TI在工具、軟件和系統(tǒng)解決方案方面提供全面支持，包括開發(fā)板套件、RF產(chǎn)品庫、兼容的硬件模塊以及設(shè)計工具、參考設(shè)計及完整的生態(tài)系統(tǒng)支持等。
 
在MCU上集成鐵電存儲器是存在一定難度的，首先制程工藝上，工藝較舊,而鐵電工藝新,這個轉(zhuǎn)移和適應(yīng)需要很多開發(fā)工作;其次鐵電本身工藝成熟度也在不斷進步中,也存在定的不足,比如鐵電高溫時(260℃)會丟失數(shù)據(jù),在生產(chǎn)時需要特別注意。
 
 
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