半導體工程組織JEDEC為動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）設定了標準，該組織上周發(fā)布了最終的JESD79-5DDR5規(guī)范。新型存儲器是其每引腳數(shù)據(jù)傳輸速度的兩倍，其存儲設備的容量增加了四倍，降低了工作電壓，并引入了多種方法來提高瘦節(jié)點上DRAM的可靠性-并降低功耗。JEDEC說，DDR5 SDRAM將從明年開始用于即將推出的客戶端PC和服務器。

SDRAM的發(fā)展通常遵循與CPU發(fā)展相同的方向。如今微處理器致力于提高內(nèi)核數(shù)，提高每個內(nèi)核的性能以及提高電源效率，這對系統(tǒng)內(nèi)存提出了要求。先進的內(nèi)核需要足夠的內(nèi)存帶寬，而此類內(nèi)核的負載則需要高DRAM容量（和高帶寬），但是在內(nèi)存控制器的功能，信號完整性以及功耗方面存在局限性。為此，DDR5通過同時向多個方向發(fā)展DRAM來滿足客戶和服務器系統(tǒng)的需求。

 
JEDEC的JC-42內(nèi)存委員會主席說：“通過在其設計中實現(xiàn)幾種新的性能，可靠性和省電模式，DDR5準備支持和啟用下一代技術。

DDR5帶來了無數(shù)的發(fā)展，并且由于新標準提供了所有可擴展性和改進的選擇，由于技術轉換通常較慢，因此新型內(nèi)存的壽命可能比其前代產(chǎn)品長-這是一件好事適用于CPU和SoC設計人員。正式出版物表明開發(fā)已完成，所有參數(shù)均已設置，并且不添加任何新功能。

高性能計算所需要的內(nèi)存必須能夠跟上當今處理器不斷增長的需求，隨著DDR5標準的發(fā)布，AMD可以更好地設計其產(chǎn)品，以滿足我們的客戶和最終用戶的未來需求。

容量提高

盡管如今客戶端和服務器機器在組件方面有很大不同，但它們有一個共同點：它們渴望獲得高密度DRAM。隨著服務器CPU內(nèi)部內(nèi)核數(shù)量的增加，現(xiàn)代服務器對內(nèi)存容量的需求不斷增長，但是，如果不使用帶有緩沖區(qū)的復雜內(nèi)存子系統(tǒng)（例如，LRDIMM或其他緩沖解決方案），今天在物理上不可能在每個內(nèi)存通道上安裝兩個以上的模塊。PC的DRAM需求增長速度要慢得多，但是由于我們希望使用更時尚的筆記本電腦，因此PC制造商使用了更昂貴的LPDDR內(nèi)存。巧合的是服務器和客戶端的答案都是相同的：更高容量的通用DRAM設備。

CadenceIP集團表示DDR5主要是關于密度，使其特別適合企業(yè)，云和大數(shù)據(jù)應用程序。

 
DDR5將以8GB和16GBDRAM開始，而今天的DDR4正是如此。但是該標準允許制造商設計具有24GB，32GB或64GB容量的設備。DDR4將每個設備的最大容量從8GB增加到16GB，而DDR5則從16GB一直增加到64GB，是原來的四倍。此外，DDR5最多可堆疊16個存儲設備（DDR4則為四個）。但是有一個局限性：該標準最多可堆疊16個DRAM，這些DRAM具有16GB，24GB或32GB的容量，但最多只能堆疊8個64GB的設備。

高位地址位是芯片ID還是高位地址位都有限制，因此對于64GB的設備，我們只能支持8-Hi堆棧。8-Hi64GB以及16-Hi32GBDRAM堆棧將使制造商能夠在未來數(shù)年內(nèi)生產(chǎn)2TB服務器級模塊，因此支持8個內(nèi)存通道和每個通道兩個模塊的服務器CPU可以配備64個TB5DDR5內(nèi)存（今天為4TB）。

由于DDR5實際上在命令/地址中嵌入了等級信息（芯片ID），而不是像前幾代那樣使用單獨的信號，因此DDR5實現(xiàn)實際上可以支持多達32個等級（設備）的內(nèi)存，因為我們可以擁有16個高3D堆棧記憶，模塊本質(zhì)上是1或2級，然后模塊上的每個DRAM位置都可以支持16-Hi堆棧，因此網(wǎng)絡為32。

由于制造上的挑戰(zhàn)，緊湊包裝的16-HiDDR5堆?？隙ú粫诘谝慌鶧DR5芯片中提供。由于必要的額外制造工作，業(yè)界不太可能在DDR5中首次推出16-Hi堆棧。實際上，8-Hi堆?？赡軙淼煤芡?。2-Hi和4-Hi堆棧的內(nèi)存非常普遍，因此從一開始就意味著2、4和8級模塊將非常普遍。我們不再真正將它們稱為等級，而是指我們正在使用3D堆棧存儲器的事實。

 
為了將每個設備的容量增加到64Gb，DDR5開發(fā)人員必須增加存儲庫的數(shù)量來解決這個問題。為此DDR5將存儲庫組的數(shù)量從16個增加到32個，而每個存儲庫組的存儲庫數(shù)量保持不變（四個存儲庫），這允許在任何給定時間打開更多頁面以提高頁面點擊率，僅可減輕更高的容量，但實際上可以提高系統(tǒng)性能，這是美光公司使用其16Gb DDR5器件測得的。
 

關鍵詞：DDR5 SDRAM