晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。 臺積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。

臺積電技術(shù)長孫元成日前在臺積電技術(shù)論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）分別訂明后年進行風險性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。

 
這也是臺積電共同執(zhí)行長魏哲家向法人表達不會跨足標準型內(nèi)存，不會角逐東芝分割成立半導(dǎo)體公司股權(quán)后，臺積電再次說明內(nèi)存的戰(zhàn)策布局，將瞄準效能比一般DRAM和儲存型閃存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。
稍早三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存廠，產(chǎn)品技術(shù)時程大幅領(lǐng)先臺積電，三星的MRAM并獲恩智浦導(dǎo)入。
據(jù)了解，臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內(nèi)存研發(fā)，多年來因難度高，商業(yè)化和競爭力遠不如DRAM，導(dǎo)致多家廠商都都僅限于研發(fā)。

內(nèi)存業(yè)者表示，次世代內(nèi)存中，投入研發(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內(nèi)存（PRAM）等三大次世代內(nèi)存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。
不過，在DRAM和NAND Flash制程已逼近極限，包括無人車、AI人工智能、高階智能型手機和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能，是臺積電認為商機即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進行商業(yè)化量產(chǎn)。
 

關(guān)鍵詞：MRAM
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